英国南安普顿大学教授Hiroshi Mizuta到半导体所交流

2019-09-30 作者:科技创新   |   浏览(196)

澳门新葡亰网址大全,此外,半导体所硅基光电子材料与器件课题组成员与Hiroshi Mizuta进行了座谈。

北京大学校长林建华首先向来自38个国家和地区的千余位与会代表致欢迎词。中国科学院院长白春礼院士、国家自然科学基金委员会主任杨卫院士、IUPAP半导体物理专业委员会主席Michael Thewalt教授发表了热情洋溢的讲话。应邀出席开幕式的嘉宾还有:中国科学院副院长王恩哥院士、教育部科学技术司副司长高润生、清华大学副校长薛其坤院士、中国科学院半导体研究所郑厚植院士、清华大学朱邦芬院士、中国科学院物理研究所于渌院士、北大信息学院院长黄如院士,以及名古屋大学Hiroshi Amano教授、曼彻斯特大学Andre Geim教授、圣巴巴拉加州大学Shuji Nakamura教授和马普固体物理研究所Klaus von Klitzing教授等诺贝尔物理学奖获得者。

交流会上,Hiroshi Mizuta作了题为Recent progress on graphene-based nano-electro-mechanical devices的学术报告,系统地介绍了基于石墨烯材料的纳米机电器件制备及其应用方面的最新进展,对纳米机电器件在单分子探测、痕量有机挥发物检测、新型开关等生物医疗及微电子领域的应用进行了精辟的阐述,发表了自己独到的见解,并与在座的20余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流,使大家受益匪浅。

在未来历时五天的正式会议中,代表们将就半导体物理与凝聚态物理领域的各个研究方向和前沿进展展开讨论,议题涵盖材料生长和结构表征、宽禁带和窄禁带半导体、纳米碳管和石墨烯、新型二维材料、拓扑材料和拓扑态、半导体异质结构、量子霍尔效应、自旋电子学、新型电子器件、半导体光学性质和光电子学、量子光学和纳米光子学、量子信息技术、固态中的马约拉纳费米子等。此外,在7月31日下午先期举行的诺贝尔论坛上,Klaus von Klitzing、Hiroshi Amano、Shuji Nakamura三位诺贝尔物理学奖得主、中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁吴汉明的报告和主题对话吸引了近600名学生和青年研究人员参与,并受到广泛好评。

应中国科学院半导体所研究员成步文、李传波的邀请,3月11日上午,英国南安普顿大学教授Hiroshi Mizuta来半导体所进行学术交流。

2016年8月1日,经国际纯粹与应用物理学联合会批准,由北京大学主办的第33届国际半导体物理大会在北京国际会议中心开幕。开幕式由会议主席、北京大学信息科学技术学院物理电子学研究所“海外高层次人才引进计划”教授徐洪起主持。

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